罗伯特・登纳德于 1932 年 9 月 5 日出生于美国得克萨斯州特雷尔。其于 1958 年取得卡内基理工学院（IT之家注：现卡内基梅隆大学）电气工程博士学位，并参加 IBM 担任研究员。

  在 1960 时代，计算机对内存的需求日益提高，与此同时盛行的磁芯内存正面对密度、本钱、功能的极限；

  登纳德其时正在 IBM 从事金属氧化物半导体（MOS）内存的开发，但此刻的计划存在速度过慢、耗费过大芯片面积的问题。

  在一次偶尔中，登纳德脑中显现了一个创意：可以正常的运用单个晶体管中电容器的带电正负记载数据，并经过重复充电完成数据的动态改写。这一概念成为日后 DRAM 内存的根底。

  登纳德和 IBM 于 1968 年取得了 DRAM 专利，该技能在 1970 年投入商用后以其低本钱、低功耗、结构相对比较简单的优势使磁芯内存敏捷过期，推动了信息电信技能的快速前进。

  DRAM 内存同第一批低本钱微处理器一道加快了计算机的小型化，以 Apple II 为代表的前期个人电脑得以在商业上取得成功，也为现在的移动端设备打开了大门。

  登纳德还提出了闻名的登纳德缩放规则，指出跟着制程提高，半导体芯片的功耗密度不变。这条规则统治了半导体业界 30 多年，同摩尔规则、阿姆达尔规则并称为半导体职业的三大规则。